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      Composants électroniques shenzhen nouveau 100% Original AOTF4N60 MOSFET TF4N60 transistor 4N60 TO-220F

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      Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.3 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      AOTF4N60

      Type
      MOSFET

      Marque nom
      Original

      Type de paquet
      Traversants

      Autres attributs

      Type de montage
      Norme

      Description
      Norme

      Point d'origine
      Guangdong, China

      Package/Boîte
      /

      Type
      MOSFET

      Température de fonctionnement
      -55 °C ~ 150 °C(TJ)

      d/c
      21 +

      Application
      Applications d'amplificateur de puissance

      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, Détaillant

      Médias Disponibles
      Fiche technique

      品名
      TRANSISTOR

      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      60A

      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      40V

      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      1.5V @ 600mA, 6A

      Courant-coupure de collecteur (Max)
      50nA (ICBO)

      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      100 @ 10mA, 1V

      Puissance Max
      208W

      Fréquence-Transition
      300MHz

      Température de fonctionnement
      -55 °C ~ 175 °C (TJ)

      Type de Support
      Trou traversant

      Résistance-socle (R1)
      -

      Résistance-socle émetteur (R2)
      -

      FET Type
      N-canal

      FET Caractéristique
      -

      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      75V

      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      100A (Tc)

      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      7.8mOhm @ 78A, 10V

      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V @ 250UA

      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      250nC @ 10V

      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      5600pF @ 25V

      Fréquence
      -

      Courant nominal (ampères)
      -

      Facteur de bruit
      -

      Alimentation-Sortie
      -

      Tension Nominale
      -

      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      10V

      Vgs (Max)
      ± 20V

      Type IGBT
      -

      Configuration
      -

      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      2.4V @ 15V, 26A

      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -

      Entrée
      -

      Thermistance NTC
      -

      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -

      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -

      Vidange de courant (Id)-Max
      -

      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -

      Résistance-RDS (On)
      -

      Tension
      -

      Tension-Sortie
      -

      Tension-décalage (Vt)
      -

      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -

      Courant-vallée (Iv)
      -

      Courant-Crête
      -

      Applications
      OBJECTIF GÉNÉRAL

      Délai d'exécution
      En stock

      Garantie
      90 jours

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      Qualité
      De haute qualité

      Condition
      Tout neuf et original

      Échantillon
      Fourni

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Boîte

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      Article unique

      Taille du paquet individuel :
      10.00X10.00X10.00 cm

      Poids brut par article :
      0.100 kg

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      Délai

      Quantité (pièce)1 - 10001001 - 10000 > 10000
      Durée estimée (jours)37À négocier

      Personnalisation

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      Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.
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