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      Transistor de puissance 13009 J13009-2 TO-220 12A/700V

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      Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      J13009-2
      Type
      ic chips
      Marque nom
      original
      Type de paquet
      Traversants

      Autres attributs

      Type de montage
      Through Hole
      Description
      standard
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      SOT-23
      Type
      standard
      Température de fonctionnement
      -55°C ~ 175°C (TJ)
      d/c
      21+
      Application
      79880558
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, ODM, L'agence, Détaillant
      Référence croisée
      standard
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao
      品名
      Transistor S8050
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      standard
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      standard
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      standard
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard
      Puissance Max
      300mW
      Fréquence-Transition
      standard
      Résistance-socle (R1)
      standard
      Résistance-socle émetteur (R2)
      standard
      FET Type
      N-Channel
      FET Caractéristique
      Porte de Niveau logique
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      75V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      80A (Tc)
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      11mOhm @ 40A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V @ 250ua
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      160nC @ 10V
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      3700pF @ 25V
      Fréquence
      standard
      Courant nominal (ampères)
      standard
      Facteur de bruit
      standard
      Alimentation-Sortie
      standard
      Tension Nominale
      standard
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      10V
      Vgs (Max)
      ±20V
      Type IGBT
      standard
      Configuration
      Unique
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      standard
      Entrée
      standard
      Thermistance NTC
      standard
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      standard
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      standard
      Vidange de courant (Id)-Max
      standard
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      standard
      Résistance-RDS (On)
      standard
      Tension
      standard
      Tension-Sortie
      standard
      Tension-décalage (Vt)
      standard
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      standard
      Courant-vallée (Iv)
      standard
      Courant-Crête
      standard
      Applications
      General Purpose
      Transistor Type
      mrf150 rf power transistor
      brand
      100% new and orignal
      quality guarantee
      test report available
      Package
      original packages with labels
      Efficient
      Prompt Delivery
      DATE CODE
      22+
      Shipment
      DHL\UPS\FEDEX\EMS\POST
      Supplier
      ShenZhen Co., Ltd.
      Datasheet
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      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Bobine ou tube
      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      10X10X5 cm
      Poids brut par article :
      0.500 kg
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      Délai

      Quantité (pièce)1 - 10001001 - 10000 > 10000
      Durée estimée (jours)150180À négocier

      Personnalisation

      original
      Commande min.: 1
      Pour plus de détails de personnalisation, envoyez un message au fournisseur

      Description des produits par le fournisseur

      100 - 999 pièce
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      >= 1000 pièce
      0,0835 €

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