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EC-Mart MOSFET de puissance super tranchée à canal N NCEP85T16

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EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrsCN
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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
NCEP85T16
Type
MOSFET
Marque nom
original
Type de paquet
/

Autres attributs

Type de montage
Trou à travers
Description
MOSFET
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
/
Série
NCEP85T16
d/c
Nouveau
品名
NCEP85T16
Collecteur de courant (Ic) (Max)
-
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
--
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
-
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Puissance Max
-
Fréquence-Transition
-
Température de fonctionnement
-
Type de Support
/
Résistance-socle (R1)
--
Résistance-socle émetteur (R2)
-
FET Type
-
FET Caractéristique
--
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Fréquence
-
Courant nominal (ampères)
-
Facteur de bruit
-
Alimentation-Sortie
--
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
--
Type IGBT
-
Configuration
-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
-
Entrée
-
Thermistance NTC
-
Tension-panne (V (BR) GSS)
-
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Tension-coupure (VGS off) @ Id
-
Résistance-RDS (On)
-
Tension
-
Tension-Sortie
-
Tension-décalage (Vt)
-
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
-
Courant-vallée (Iv)
-
Courant-Crête
-
Applications
-
Polarité de transistor:
N-canal
Paquet/cas:
À-220
Nom du produit:
NCEP85T16
Type:
MOSFET

Emballage et livraison

Détails d'emballage
ESD/vide/mousse/carton
Port
Shenzhen / Hongkong

Capacité d'approvisionnement

Capacité d'approvisionnement
999999 Morceau/Morceaux per Day
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Délai

Quantité (pièce)1 - 999999 > 999999
Durée estimée (jours)1À négocier

Personnalisation

Emballage personnalisé
Commande min.: 999999
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20 - 99 pièce
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>= 100 pièce
85,04 ₹

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