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      Transistor spécial pour amplificateur de puissance SPTECH silicium PNP Transistor de puissance

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      Shenzhen Yangminghongye Technology Co., Ltd.4 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      NJW1302G
      Type
      Puce de gestion de l'alimentation
      Marque nom
      S
      Type de paquet
      À-3

      Autres attributs

      Description
      Nouveau
      Point d'origine
      Switzerland
      Package/Boîte
      ISOWATT218FX
      Série
      Triode
      d/c
      2020
      Application
      MOSFET
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine
      Référence croisée
      6N60
      Médias Disponibles
      Fiche technique
      品名
      Mosfet Transistor
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      1
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      1
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      1
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      1
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      1
      Puissance Max
      1
      Fréquence-Transition
      1
      Température de fonctionnement
      150 °C (TJ)
      Type de Support
      Trou traversant
      Résistance-socle (R1)
      1
      Résistance-socle émetteur (R2)
      1
      FET Type
      N-Canal
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      1500V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      2.5A (Tc)
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      9Ohm @ 1.3A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      5V 250
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      29.3nC
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      939pF @ 25V
      Fréquence
      1
      Courant nominal (ampères)
      1
      Facteur de bruit
      1
      Alimentation-Sortie
      1
      Tension Nominale
      1
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      10V
      Vgs (Max)
      ± 30V
      Type IGBT
      1
      Configuration
      1
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      1
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      1
      Entrée
      1
      Thermistance NTC
      1
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      1
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      1
      Vidange de courant (Id)-Max
      1
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      1
      Résistance-RDS (On)
      1
      Tension
      1
      Tension-Sortie
      1
      Tension-décalage (Vt)
      1
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      1
      Courant-vallée (Iv)
      1
      Courant-Crête
      1
      Applications
      1

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Paquet de Tube
      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      10X10X10 cm
      Poids brut par article :
      0.100 kg
      Afficher plus

      Délai

      Quantité (pièce)1 - 10 > 10
      Durée estimée (jours)7À négocier
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      Échantillons

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      Commande min.: 5000
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      Description des produits par le fournisseur

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      4,00 $US
      100 - 499 pièce
      3,40 $US
      500 - 999 pièce
      3,30 $US
      >= 1000 pièce
      3,15 $US

      Variantes

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