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      TRANSISTOR MOSFET n-channel N-CH 50V 50a TO-220F

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      Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.Fournisseur multi-spécialités15 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      FKV550N

      Type
      MOSFET

      Marque nom
      Original manufacturer

      Type de paquet
      TO-220F

      Autres attributs

      Point d'origine
      Taiwan, China

      Package/Boîte
      -

      d/c
      New Date code

      Application
      MOSFET

      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine, ODM, L'agence, Détaillant

      Référence croisée
      -

      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo

      品名
      Transistors MOSFET Single

      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      -

      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      -

      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      -

      Courant-coupure de collecteur (Max)
      -

      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -

      Puissance Max
      -

      Fréquence-Transition
      -

      Température de fonctionnement
      150C

      Type de Support
      Trou traversant

      Résistance-socle (R1)
      -

      Résistance-socle émetteur (R2)
      -

      FET Type
      N-Channel

      FET Caractéristique
      -

      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      50V

      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      50A

      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      -

      Vgs (th) (Max) @ Id
      -

      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      -

      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      -

      Fréquence
      -

      Courant nominal (ampères)
      -

      Facteur de bruit
      -

      Alimentation-Sortie
      -

      Tension Nominale
      -

      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      -

      Vgs (Max)
      20V

      Type IGBT
      -

      Configuration
      -

      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -

      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -

      Entrée
      -

      Thermistance NTC
      -

      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -

      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -

      Vidange de courant (Id)-Max
      -

      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -

      Résistance-RDS (On)
      -

      Tension
      -

      Tension-Sortie
      -

      Tension-décalage (Vt)
      -

      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -

      Courant-vallée (Iv)
      -

      Courant-Crête
      -

      Applications
      -

      Lead Free Status
      RoHS Compliant

      Condition
      Original manufacturer

      Supplier
      Electronic Components

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      BOX REEL TUBU

      Port
      Shenzhen

      Capacité d'approvisionnement

      Capacité d'approvisionnement
      1000000 Morceau/Morceaux per Week

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      Délai

      Quantité (pièce)1 - 10000 > 10000
      Durée estimée (jours)1À négocier

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      Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.
      Fournisseur multi-spécialités15 ansSitué dans CN
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