SPP20N60C3 SY Puces 20N60C3 Circuits intégrés Transistors MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO-220 TO-220-3 SPP20N60 SPP20N SPP20N60C3

Name: Spp20n60c3 Sy Puces 20n60c3 Circuits Intégrés Transistors Mosfet N-ch 600v 20.7a To-220 To-220-3 Spp20n60 Spp20n Spp20n60c3 - Buy Transistors Spp20n60c3,Mosfet 20n60c3,Spp20n60 To-220 Product on Alibaba.com
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SKU: 1600131512153

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Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd.

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

SPP20N60C3

Type

Original

Marque nom

Original Brand

Type de paquet

Traversants

Autres attributs

Type de montage

Trou à travers

Description

MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3

Point d'origine

original

Package/Boîte

Type

MOSFET

Température de fonctionnement

-55 ℃ ~ 150 ℃

Série

SPP20N60C3

d/c

Nouveau

Application

Gestion de puissance

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine

Référence croisée

品名

SPP20N60C3

Collecteur de courant (Ic) (Max)

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Courant-coupure de collecteur (Max)

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Puissance Max

Fréquence-Transition

Température de fonctionnement

-55℃ ~ 150℃

Type de Support

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

FET Type

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

Type IGBT

Configuration

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

Applications

Gestion de puissance

Transistor Type

MOSFET

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Port

shenzhen

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Taille du paquet individuel :

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