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Transistor bipolaire BUT70W (BJT) NPN 125 V 32 A 200 W trou traversant TO-247-3

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Attributs clés

Autres attributs

Point d'origine
USA
Marque nom
STMicroelectronics
Numéro de Type
BUT70W
Type de montage
Through Hole
Description
Bipolar Transistors - BJT NPN High Power
Application
Bipolar Transistors--BJTs
Type
BJTs - Bipolar Transistors
Série
RF Transistors
Caractéristiques
standard
Code Date de fabrication
newest code
Product Name
BUT70W
Brand
STMicroelectronics
Condition
100% Original Brand
Lead time
Immediately Shipment
Lead Free Status
Rohs Complaint
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Warranty
365 Days
Packaging
Tube
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
Date code
newest code

Emballage et livraison

Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
0.2X0.2X0.1 cm
Poids brut par article :
0.001 kg

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Logo personnalisé
Commande min.: 10000
Emballage personnalisé
Commande min.: 10000
Personnalisation graphique
Commande min.: 10000

Description des produits par le fournisseur

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10 pièces
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697 ₩ Standard expédition

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