Transistor 50T65FD1 60T65PES Original nouvelle Machine à souder IGBT Org onduleur YGW60N65F1 K50H603 YGW40N65F1 commutateur d'amplificateur ca

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Shenzhen Jjsr Electronics Co., Ltd.1 yr

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

Type

Transistor IGBT

Marque nom

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

Description

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO247

d/c

Application

Sans Objet

品名

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Température de fonctionnement

Type de Support

Sans Objet

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

FET Caractéristique

Sans Objet

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

Type IGBT

Configuration

Sans Objet

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

Applications

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