Silicium de plaquette de SOI sur plaquette de semi-conducteur d'isolant

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Shenzhen Xiongsan Electronic Technology Co., Ltd.1 yr

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Attributs clés

Autres attributs

Point d'origine

China

Marque nom

As shown

Numéro de Type

silicon wafer

Type

other

Method

Fusion bonding

Diameter

2/3/4/6/8/12 inch

Device thickness

2-300 um

Tolerance

+/-0.5 um-2 um

Orientation

100/111/110 or others

Conductivity

P-type / N-type / Intrinsic

Resistivity

0.001-100000 ohm-cm

Dopant

Boron / Phosphorous / Antimony / Arsenic

Oxide thickness

500A-4 um

Handle wafer

Emballage et livraison

Détails d'emballage

Boîte gaufrette unique

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

12X1X1 cm

Poids brut par article :

0.500 kg

Capacité d'approvisionnement

5000 Morceau/Morceaux per Year

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 10	> 10
Durée estimée (jours)	14	À négocier

Personnalisation

Logo personnalisé

Commande min.: 25

Emballage personnalisé

Commande min.: 25

Personnalisation graphique

Commande min.: 25

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Description des produits par le fournisseur

5 - 99 pièce

811,51 RUB

>= 100 pièce

202,88 RUB

Variantes

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