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      N-CHANNEL MOSFET de marque SL 600V 8A SVF8N60F TO-220F

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      Shenzhen Hongfang Micro Electronics Co., Ltd.4 yrsCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      SVF8N60F
      Type
      MOSFET
      Marque nom
      silan
      Type de paquet
      Traversants

      Autres attributs

      Type de montage
      -
      Description
      N-CH MOSFET 600V 8A
      Point d'origine
      China
      Package/Boîte
      TO-220F
      Type
      -
      Température de fonctionnement
      -55 °C ~ + 150 °C
      Série
      -
      d/c
      2023 +
      Application
      MOSFET
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo
      品名
      N-CH MOSFET 600V 8A
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      -
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      -
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Température de fonctionnement
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Type de Support
      Trou traversant
      Résistance-socle (R1)
      -
      Résistance-socle émetteur (R2)
      -
      FET Caractéristique
      -
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      600V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      8A
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Fréquence
      -
      Courant nominal (ampères)
      --
      Facteur de bruit
      -
      Alimentation-Sortie
      -
      Tension Nominale
      -
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Type IGBT
      -
      Configuration
      -
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      -
      Entrée
      -
      Thermistance NTC
      -
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      -
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Vidange de courant (Id)-Max
      -
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      -
      Résistance-RDS (On)
      -
      Tension
      -
      Tension-Sortie
      -
      Tension-décalage (Vt)
      -
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      -
      Courant-vallée (Iv)
      -
      Courant-Crête
      -
      Applications
      -
      Transistor Type
      -

      Emballage et livraison

      Détails d'emballage
      Qualité de service tous services prioritaires
      Port
      SHENZHEN OR HK

      Capacité d'approvisionnement

      Capacité d'approvisionnement
      99999 Morceau/Morceaux per Day
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      Délai

      Quantité (pièce)1 - 200000 > 200000
      Durée estimée (jours)5À négocier

      Personnalisation

      Logo personnalisé
      Commande min.: 10
      Pour plus de détails de personnalisation, envoyez un message au fournisseur

      Description des produits par le fournisseur

      >= 50 pièce
      5 604 ₫

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