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      S9014 J6 S9015 M6 100mA 45V S9012 2T1 S9013 J3 500mA 25V S9018 8Y 50mA 18V SOT-23 Transistor planaire épitaxial au silicium

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      Shenzhen Kexin Weiye Electronics Co.,ltd.1 yrCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      S9014
      Type
      Transistor bipolaire
      Marque nom
      JSMSEMI
      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Type de montage
      SOT23
      Description
      Transistor planaire épitaxial au silicium
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      SOT-23
      Type
      Transistor
      Température de fonctionnement
      -55-150C
      d/c
      2024
      Application
      Interrupteur d'alimentation Circuits
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine
      Référence croisée
      S9015
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo
      品名
      Transistor
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      100MA
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      45V
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      0
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      100MA
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      45V
      Puissance Max
      200MW
      Température de fonctionnement
      -55-150
      Type de Support
      Montage en Surface
      Résistance-socle (R1)
      0
      Résistance-socle émetteur (R2)
      0
      FET Type
      Amplificateur à usage général
      FET Caractéristique
      Carbure de silicium (SiC)
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      45V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      100MA
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      0
      Vgs (th) (Max) @ Id
      0
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      0
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      0
      Fréquence
      0
      Courant nominal (ampères)
      100MA
      Facteur de bruit
      0
      Alimentation-Sortie
      200MW
      Tension Nominale
      45V
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      45V
      Type IGBT
      Transistor
      Configuration
      Sans Objet
      Entrée
      200MW
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      45V
      Vidange de courant (Id)-Max
      100MA
      Tension
      45V
      Tension-Sortie
      45V
      Tension-décalage (Vt)
      45V
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      100MA
      Courant-vallée (Iv)
      100MA
      Courant-Crête
      100MA
      Applications
      Faible niveau de bruit par amplificateur
      Transistor Type
      Transistor planaire épitaxial au silicium

      Emballage et livraison

      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      22X22X4 cm
      Poids brut par article :
      0.150 kg
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      Personnalisation

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