Nouveau composant électronique MOSFET de puissance original IRFP450

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Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.

Fournisseur multi-spécialités3 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

IRFP450

Type

Original

Marque nom

original

Type de paquet

Traversants

Autres attributs

Type de montage

Trou à travers

Description

Transistor à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

À-247

Type

MOSFET

Température de fonctionnement

-55 ℃ ~ 150 ℃

Série

IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896

d/c

Application

À Usage général

Type de Fournisseur

Autres

Référence croisée

N/A

Médias Disponibles

Fiche technique

品名

Original

Collecteur de courant (Ic) (Max)

N/A

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Norme

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

N/A

Courant-coupure de collecteur (Max)

N/A

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

N/A

Puissance Max

N/A

Fréquence-Transition

N/A

Température de fonctionnement

-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Type de Support

Trou traversant

Résistance-socle (R1)

N/A

Résistance-socle émetteur (R2)

N/A

FET Type

N/A

FET Caractéristique

N/A

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

30V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

80A

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Norme

Vgs (th) (Max) @ Id

Norme

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Norme

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

N/A

Fréquence

N/A

Courant nominal (ampères)

N/A

Facteur de bruit

N/A

Alimentation-Sortie

N/A

Tension Nominale

N/A

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

N/A

Vgs (Max)

N/A

Type IGBT

N/A

Configuration

Norme

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

N/A

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

N/A

Entrée

N/A

Thermistance NTC

N/A

Tension-panne (V (BR) GSS)

N/A

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

1-2.5V

Vidange de courant (Id)-Max

N/A

Tension-coupure (VGS off) @ Id

20V

Résistance-RDS (On)

N/A

Tension

N/A

Tension-Sortie

N/A

Tension-décalage (Vt)

N/A

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

N/A

Courant-vallée (Iv)

N/A

Courant-Crête

N/A

Applications

OBJECTIF GÉNÉRAL

Transistor Type

MOSFET

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

2X2X2 cm

Poids brut par article :

0.001 kg

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 30000	30001 - 50000	> 50000
Durée estimée (jours)	3	5	À négocier

Personnalisation

Original packing

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Description des produits par le fournisseur

10 - 99 pièce

2,89 $US

100 - 999 pièce

1,56 $US

>= 1000 pièce

0,95 $US

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