MOSFET d'origine IGBT SGT60N60FD1PN TO-3P 600V 60A

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Shenzhen Hongfang Micro Electronics Co., Ltd.4 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

SGT60N60FD1PN

Type

MOSFET

Marque nom

Original

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

Description

IGBT MOSFET

Point d'origine

Germany

Package/Boîte

TO-3P

Type

Série

d/c

2023+

Application

MOSFET

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

mosfet IGBT 600V 60A

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Température de fonctionnement

-55°C~150°C (TJ)

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

600V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

60A

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

Type IGBT

Configuration

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

Applications

Transistor Type

Emballage et livraison

Détails d'emballage

Qualité de service tous services prioritaires

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

5X5X1 cm

Poids brut par article :

0.010 kg

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Durée estimée (jours)	5	À négocier

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