MRF175GU 150W 28V 500MHz RF MOSFET RF transistor

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Shenzhen Genuine Industries Limited1 yr

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

MRF175GU

Type

RF TRANSISTOR

Marque nom

Original

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

Norme

Description

Transistor RF MOSFET RF 150W 28V 500MHz

Point d'origine

Original

Package/Boîte

Métal + céramique

Type

Transistor RF MOSFET RF

Température de fonctionnement

-65 à 150 °C

Série

Appareils 28V pour fréquences à 1 GHz

d/c

23 +

Application

Haute fréquence

Type de Fournisseur

ODM, L'agence, Détaillant

品名

MRF166 20W 28V 500MHz RF MOSFET transistor RF

Collecteur de courant (Ic) (Max)

Norme

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Norme

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Norme

Courant-coupure de collecteur (Max)

Norme

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Norme

Puissance Max

150W

Fréquence-Transition

1-500MHz

Température de fonctionnement

-65 to 150°C

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

Norme

Résistance-socle émetteur (R2)

Norme

FET Type

MOS

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

65V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

26 A

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Norme

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Norme

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

180 pF

Fréquence

1-500MHz

Courant nominal (ampères)

26 A

Facteur de bruit

Norme

Alimentation-Sortie

150W

Tension Nominale

28V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Norme

Vgs (Max)

Type IGBT

Norme

Configuration

Norme

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Norme

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Norme

Entrée

Norme

Thermistance NTC

Norme

Tension-panne (V (BR) GSS)

± 40V

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

2.5 mA

Vidange de courant (Id)-Max

26A

Tension-coupure (VGS off) @ Id

65V

Résistance-RDS (On)

Norme

Tension

Norme

Tension-Sortie

Norme

Tension-décalage (Vt)

Norme

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Norme

Courant-vallée (Iv)

Norme

Courant-Crête

Norme

Applications

Norme

Transistor Type

MOSFET RF

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

15X10X6 cm

Poids brut par article :

0.400 kg

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 1000	> 1000
Durée estimée (jours)	1	À négocier

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Emballage personnalisé

Commande min.: 1000

Personnalisation graphique

Commande min.: 1000

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Description des produits par le fournisseur

1 - 99 pièce

988,69 RUB

>= 100 pièce

589,22 RUB

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