MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC transistor IRF3205PBF

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Shenzhen Yuzens Technologies Co. Ltd.10 yrs

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

IRF3205PBF

Type

MOSFET

Marque nom

Origina Brand

Type de paquet

Traversants

Autres attributs

Type de montage

DIP

Description

TRANSISTOR

Point d'origine

Melaka, Malaysia

Package/Boîte

Tube

d/c

Nouveau

Application

Général D'amplification

Type de Fournisseur

L'agence

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

Transistor

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Température de fonctionnement

Type de Support

Trou traversant

Résistance-socle (R1)

Résistance-socle émetteur (R2)

FET Caractéristique

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Fréquence

Courant nominal (ampères)

Facteur de bruit

Alimentation-Sortie

Tension Nominale

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

Vgs (Max)

Type IGBT

Configuration

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

Entrée

Thermistance NTC

Tension-panne (V (BR) GSS)

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Vidange de courant (Id)-Max

Tension-coupure (VGS off) @ Id

Résistance-RDS (On)

Tension

Tension-Sortie

Tension-décalage (Vt)

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

Courant-vallée (Iv)

Courant-Crête

Applications

Carte de circuit imprimé

Transistor Type

Nouveau

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Position d'approvisionnement

IRF3205PBF

Tension d'alimentation

IRF3205PBF TO220

Puissance de dissipation

MOSFET de puissance IRF3205PBF TO220 HEXFET

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

25X15X5 cm

Poids brut par article :

1.000 kg

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