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      MMBT3904 1AM MMBT3906 2A 200mA 40V Transistor à découpage MMBT3904LT1G MMBT3906LT1G PMBT3904 PMBT3906 2N3904 2N3906

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      Shenzhen Kexin Weiye Electronics Co.,ltd.1 yrCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      MMBT3904
      Type
      Transistor bipolaire
      Marque nom
      JSMSEMI
      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Type de montage
      SOT23
      Description
      200mA 40V Switching Transistor
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      SOT-23
      Type
      Transistor
      Température de fonctionnement
      -55-150C
      d/c
      2024
      Application
      Interrupteur d'alimentation Circuits
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine
      Référence croisée
      MMBT3906
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo
      品名
      Transistor
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      200MA
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      40V
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      0
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      200MA
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      40V
      Puissance Max
      350MW
      Température de fonctionnement
      -55-150
      Type de Support
      Montage en Surface
      Résistance-socle (R1)
      0
      Résistance-socle émetteur (R2)
      0
      FET Type
      General Purpose Amplifier
      FET Caractéristique
      Carbure de silicium (SiC)
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      40V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      200MA
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      0
      Vgs (th) (Max) @ Id
      0
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      0
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      0
      Fréquence
      0
      Courant nominal (ampères)
      200MA
      Facteur de bruit
      0
      Alimentation-Sortie
      350MW
      Tension Nominale
      40V
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      40V
      Type IGBT
      Transistor
      Configuration
      Sans Objet
      Entrée
      350MW
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      40V
      Vidange de courant (Id)-Max
      200MA
      Tension
      40V
      Tension-Sortie
      40V
      Tension-décalage (Vt)
      40V
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      200MA
      Courant-vallée (Iv)
      200MA
      Courant-Crête
      200MA
      Applications
      General Purpose Amplifier
      Transistor Type
      Switching Transistor

      Emballage et livraison

      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      22X22X4 cm
      Poids brut par article :
      0.150 kg
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