Description
Transistor à effet de champ semi-conducteur d'oxyde métallique
Point d'origine
Guangdong, China
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃
Série
IRLR8726T AOD538 FDD050N03B FDD8896
Application
À Usage général
Type de Fournisseur
Autres
Médias Disponibles
Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max)
N/A
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
Norme
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
N/A
Courant-coupure de collecteur (Max)
N/A
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
N/A
Température de fonctionnement
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Type de Support
Trou traversant
Résistance-socle émetteur (R2)
N/A
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
80A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Norme
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Norme
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
N/A
Courant nominal (ampères)
N/A
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
N/A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
N/A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
N/A
Tension-panne (V (BR) GSS)
N/A
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1-2.5V
Vidange de courant (Id)-Max
N/A
Tension-coupure (VGS off) @ Id
20V
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
N/A
Applications
OBJECTIF GÉNÉRAL
Transistor Type
Puissance MOSFET