Substrat de plaquette InP phosphure d'indium 2 pouces VGF N-type Dopant Soufre Haute mobilité des électrons

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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrs

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Attributs clés

Autres attributs

Point d'origine

Shanghai, China

Marque nom

XINKEHUI

Numéro de Type

InP wafer

Type

Gaufrette InP

Taille

2 pouces

Épaisseur

350

Dopant

Poli

1 côté 2 côté

Mobilité

1.5-3.5 E3

Orientation

100

EPD

5000 moins ou égal

Méthode de croissance

CZ VGF

De Longueur

16 +/-12

SI Longueur

8 +/-1

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

7X8X10 cm

Poids brut par article :

0.010 kg

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 25	> 25
Durée estimée (jours)	30	À négocier

Personnalisation

Logo personnalisé

Commande min.: 1

Emballage personnalisé

Commande min.: 1

Personnalisation graphique

Commande min.: 1

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Description des produits par le fournisseur

>= 5 pièce

15,00 $US

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