IRLL110TRPBF MOSFET de puissance (oxyde métallique) 1 canal N 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta) 3.1W (Tc) Transistors SOT-223 à montage en surface FET

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

CN

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

IRLL110TRPBF

Type

Transistor

Marque nom

Original Brand

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

Surface Mount

Description

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Point d'origine

Original

Package/Boîte

TO-261-4 TO-261AA

Type

1 N-Channel

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Série

HEXFET

d/c

newest

Application

À Usage général

Type de Fournisseur

Détaillant

Référence croisée

IRLL110PBFDKR

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo, Modèles EDA/cao, Other

品名

Transistor

Collecteur de courant (Ic) (Max)

same as original

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

original standard

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

same as original

Courant-coupure de collecteur (Max)

original standard

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

same as original

Puissance Max

2W (Ta) 3.1W (Tc)

Fréquence-Transition

original standard

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

same as original

Résistance-socle émetteur (R2)

original standard

FET Type

N-Channel

FET Caractéristique

same as original

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

100 V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

1.5A (Tc)

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 900mA 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250uA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 30V

Fréquence

original standard

Courant nominal (ampères)

same as original

Facteur de bruit

original standard

Alimentation-Sortie

2W (Ta)3.1W (Tc)

Tension Nominale

original standard

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

same as original

Vgs (Max)

same as original

Type IGBT

same as original

Configuration

Unique

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

same as original

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

original standard

Entrée

same as original

Thermistance NTC

original standard

Tension-panne (V (BR) GSS)

same as original

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

original standard

Vidange de courant (Id)-Max

same as original

Tension-coupure (VGS off) @ Id

original standard

Résistance-RDS (On)

same as original

Tension

original standard

Tension-Sortie

same as original

Tension-décalage (Vt)

original standard

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

same as original

Courant-vallée (Iv)

original standard

Courant-Crête

same as original

Applications

General Purpose

Transistor Type

1 N-Channel

SPQ

2.5k/reel

Number of Elements per Chip

2

PCB changed

3

Pin Count

4

Lead Shape

Gull-wing

Unit Weight:

0.008818 oz

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Channel Mode

Enhancement

Rise Time:

47 ns

Fall Time:

18 ns

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

19X19X10 cm

Poids brut par article :

1.000 kg

Délai

Quantité (pièce)	1 - 2500	> 2500
Durée estimée (jours)	15	À négocier

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