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IRFR5305 FR5305 IRFR5305PBF IRFR5305TRPBF 26A AUIRFR5305 AUFR5305 50A SIRFR5305 SIRFR5305TRPBF SIR5305 30A 30A Transistor Mosfet 60V

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type
IRFR5305TRPBF
Type
MOSFET
Marque nom
JSMSEMI
Type de paquet
Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage
SMD
Description
Transistor Mosfet 26A 60V
Point d'origine
Guangdong, China
Package/Boîte
À-252
Type
SMD
Température de fonctionnement
-55-150C
Série
IRFR
d/c
2024
Application
À Usage général
Type de Fournisseur
Fabricant d'origine
Médias Disponibles
Fiche technique, Photo
品名
Transistor Mosfet 26A 60V
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
60V
Courant-coupure de collecteur (Max)
0
Puissance Max
60W
Température de fonctionnement
-55-150C
Type de Support
Montage en Surface
FET Type
Mosfet
FET Caractéristique
Standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
0
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
60V
Vgs (th) (Max) @ Id
0
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0
Fréquence
0
Courant nominal (ampères)
0
Alimentation-Sortie
60W
Tension Nominale
60V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
60V
Vgs (Max)
60V
Type IGBT
Mosfet
Configuration
Double Source Commune
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
0
Tension-panne (V (BR) GSS)
60V
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
0
Vidange de courant (Id)-Max
0
Tension
60V
Tension-Sortie
60V
Tension-décalage (Vt)
60V
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
0
Courant-vallée (Iv)
0
Courant-Crête
0
Applications
Fournisseur de puissance
Transistor Type
Mosfet

Emballage et livraison

Unités de vente :
Multiple de 2500
Taille du paquet par lot :
38X38X5 cm
Poids brut par lot :
1.200 kg

Personnalisation

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