Plaquette de GaN autoportante à semi-conducteur A-plan non dopé de haute qualité 5.0*10.0 mm2 pour dispositif d'alimentation

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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

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Attributs clés

Autres attributs

Point d'origine

China

Marque nom

GaNova

Numéro de Type

JDCD01-001-004

Type

GaN Gaufrette

Item

GaN-FS-A-U-S GaN-FS-A-N-S GaN-FS-A-SI-S

Dimensions

5 x 10 mm²

Thickness

350 ±25 μm

Conduction Type

N-type N-type Semi-Insulating

TTV

≤ 10 μm

BOW

- 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Dislocation Density

From 1 x 10^5 to 3 x 10^6cm-²

Macro Defect Density

0 cm-²

Useable Area

> 90% (edge exclusion)

Emballage et livraison

Détails d'emballage

Carton

Port

Shanghai

Capacité d'approvisionnement

100000 Morceau/Morceaux per Month

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Description des produits par le fournisseur

3 - 14 pièce

350,75 €

>= 15 pièce

343,29 €

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