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      FDD16AN08A0 FDD16AN08AO 16AN08A0 16AN08AO 16AN08 FDD16AN0 TO-252 45A 100V Transistor Mosfet de puissance à canal N

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      Shenzhen Kexin Weiye Electronics Co.,ltd.1 yrCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      FDD16AN08A0
      Type
      MOSFET
      Marque nom
      JSMSEMI
      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Type de montage
      SMD
      Description
      Transistor Mosfet de puissance à canal N de 45A 100V
      Point d'origine
      Guangdong, China
      Package/Boîte
      À-252
      Type
      SMD
      Température de fonctionnement
      -55-150C
      Série
      FDD
      d/c
      2024
      Application
      À Usage général
      Type de Fournisseur
      Fabricant d'origine
      Médias Disponibles
      Fiche technique, Photo
      品名
      Transistor Mosfet de puissance à canal N de 45A 100V
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      100V
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      0
      Puissance Max
      136.4W
      Température de fonctionnement
      -55-150C
      Type de Support
      Montage en Surface
      FET Type
      MOS
      FET Caractéristique
      Standard
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      100V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      0
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      100V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      0
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      0
      Fréquence
      0
      Courant nominal (ampères)
      0
      Alimentation-Sortie
      136.4W
      Tension Nominale
      100V
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      100V
      Vgs (Max)
      100V
      Type IGBT
      MOS
      Configuration
      Double Source Commune
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      0
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      100V
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      0
      Vidange de courant (Id)-Max
      0
      Tension
      100V
      Tension-Sortie
      100V
      Tension-décalage (Vt)
      100V
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      0
      Courant-vallée (Iv)
      0
      Courant-Crête
      0
      Applications
      Fournisseur de puissance
      Transistor Type
      MOS

      Emballage et livraison

      Unités de vente :
      Multiple de 2500
      Taille du paquet par lot :
      38X38X5 cm
      Poids brut par lot :
      1.200 kg
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      Personnalisation

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