D1005UK 80W 28V 175MHz RF MOSFET RF transistor RF transistor RF VDMOS

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Shenzhen Genuine Industries Limited1 yr

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

D1005UK

Type

RF TRANSISTOR

Marque nom

Original

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

standard

Description

D1005UK RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor

Point d'origine

Original

Package/Boîte

metal + ceramic

Type

RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor

Température de fonctionnement

-65 to 150°C

Série

28V devices for frequencies to 1 GHz

d/c

23+

Application

Haute fréquence

Type de Fournisseur

ODM, L'agence, Détaillant

品名

D1005UK 80W 28V 175MHz RF MOSFET

Collecteur de courant (Ic) (Max)

standard

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

standard

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

standard

Courant-coupure de collecteur (Max)

standard

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

standard

Puissance Max

80W

Fréquence-Transition

1-175MHz

Température de fonctionnement

-65 to 150°C

Type de Support

Montage en Surface

Résistance-socle (R1)

standard

Résistance-socle émetteur (R2)

standard

FET Type

VDMOS

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

70V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

20A

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

standard

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

standard

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

240 pF

Fréquence

1-175MHz

Courant nominal (ampères)

20A

Facteur de bruit

standard

Alimentation-Sortie

80W

Tension Nominale

28V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

standard

Vgs (Max)

Type IGBT

standard

Configuration

standard

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

standard

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

standard

Entrée

standard

Thermistance NTC

standard

Tension-panne (V (BR) GSS)

±20V

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

2 mA

Vidange de courant (Id)-Max

20A

Tension-coupure (VGS off) @ Id

70V

Résistance-RDS (On)

standard

Tension

standard

Tension-Sortie

standard

Tension-décalage (Vt)

standard

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

standard

Courant-vallée (Iv)

standard

Courant-Crête

standard

Applications

standard

Transistor Type

RF MOSFET

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

15X10X6 cm

Poids brut par article :

0.400 kg

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 10	11 - 100	> 100
Durée estimée (jours)	3	7	À négocier

Personnalisation

Logo personnalisé

Commande min.: 1000

Emballage personnalisé

Commande min.: 1000

Personnalisation graphique

Commande min.: 1000

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Description des produits par le fournisseur

1 - 49 pièce

2 200,00 ₹

>= 50 pièce

1 350,58 ₹

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