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      D1002UK 40W 28V 175MHz RF MOSFET RF transistor RF transistor RF VDMOS

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      Shenzhen Genuine Industries Limited1 yrCN
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      Attributs clés

      Spécification de l'industrie de base.

      Numéro de Type
      D1002UK
      Type
      RF TRANSISTOR
      Marque nom
      original
      Type de paquet
      Montage en Surface

      Autres attributs

      Type de montage
      standard
      Description
      40W 28V 175MHz RF MOSFET RF transistor RF VDMOS transistor
      Point d'origine
      original
      Package/Boîte
      metal + ceramic
      Type
      RF MOSFET
      Température de fonctionnement
      -65 to 150°C
      Série
      28V devices for frequencies to 1 GHz
      d/c
      23+
      Application
      Haute fréquence
      Type de Fournisseur
      ODM, L'agence, Détaillant
      品名
      D1002UK 40W 28V 175MHz RF MOSFET
      Collecteur de courant (Ic) (Max)
      standard
      Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
      standard
      Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Courant-coupure de collecteur (Max)
      standard
      Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard
      Puissance Max
      standard
      Fréquence-Transition
      standard
      Température de fonctionnement
      -65 to 150°C
      Type de Support
      Montage en Surface
      Résistance-socle (R1)
      standard
      Résistance-socle émetteur (R2)
      standard
      FET Type
      VDMOS
      FET Caractéristique
      Standard
      Vidange à la tension de la Source (Vdss)
      70V
      Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
      10A
      Rds sur (Max) @ Id, Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      7V
      Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
      standard
      Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
      120 pF
      Fréquence
      1-175 MHz
      Courant nominal (ampères)
      10A
      Facteur de bruit
      standard
      Alimentation-Sortie
      40W
      Tension Nominale
      28V
      Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
      standard
      Vgs (Max)
      7V
      Type IGBT
      standard
      Configuration
      standard
      Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
      standard
      Entrée
      standard
      Thermistance NTC
      standard
      Tension-panne (V (BR) GSS)
      ±20V
      Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      2 mA
      Vidange de courant (Id)-Max
      10A
      Tension-coupure (VGS off) @ Id
      standard
      Résistance-RDS (On)
      standard
      Tension
      standard
      Tension-Sortie
      standard
      Tension-décalage (Vt)
      standard
      Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
      standard
      Courant-vallée (Iv)
      standard
      Courant-Crête
      standard
      Applications
      standard
      Transistor Type
      RF MOSFET

      Emballage et livraison

      Unités de vente :
      Article unique
      Taille du paquet individuel :
      15X10X6 cm
      Poids brut par article :
      0.400 kg
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      1 - 49 pièce
      25,90 $US
      >= 50 pièce
      15,90 $US

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