AO4468 4468 10A 30V AO4466 4466 8.5A 30V AO4485 4485 11A 40V AO4486 4486 4.2A 100V SOP-8 Transistor Mosfet pour convertisseur DC/DC

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Shenzhen Kexin Weiye Electronics Co.,ltd.1 yr

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Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

AO4466

Type

MOSFET

Marque nom

JSMSEMI

Type de paquet

Montage en Surface

Autres attributs

Type de montage

SMD

Description

Mosfet 10A 30V

Point d'origine

Guangdong, China

Package/Boîte

SOP-8

Type

SMD

Température de fonctionnement

-55-150C

Série

AO4468

d/c

2024

Application

Haute fréquence

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

Mosfet 30V

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

30V

Courant-coupure de collecteur (Max)

10A

Puissance Max

2.8W

Fréquence-Transition

Température de fonctionnement

-55-150C

Type de Support

Montage en Surface

FET Type

MOS

FET Caractéristique

Standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

30V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

10A

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

30V

Vgs (th) (Max) @ Id

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10A

Fréquence

Courant nominal (ampères)

10A

Alimentation-Sortie

2.8W

Tension Nominale

30V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

30V

Vgs (Max)

30V

Type IGBT

MOS

Configuration

Double Source Commune

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

10A

Tension-panne (V (BR) GSS)

30V

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

10A

Vidange de courant (Id)-Max

10A

Tension

30V

Tension-Sortie

30V

Tension-décalage (Vt)

30V

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

10A

Courant-vallée (Iv)

10A

Courant-Crête

10A

Applications

Fournisseur de puissance

Transistor Type

MOS

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Taille du paquet par lot :

38X38X5 cm

Poids brut par lot :

0.550 kg

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