Transistor MOSFET de puissance à canal N 650V 5A avec faible charge de grille pour les alimentations et les commandes de moteur PWM

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Attributs clés

Spécification de l'industrie de base.

Numéro de Type

AKF5N65P

Type

MOSFET

Marque nom

AIKO

Type de paquet

TO-220F

Autres attributs

Type de montage

through holes

Description

Low Intrinsic Capacitances, Excellent Switching Characteristics, Extended Safe Operating Area, Unrivalled Gate Charge, 100% Avalanche Tested

Point d'origine

Zhejiang, China

Package/Boîte

TO-220F

Type

MOSFET transistor

Température de fonctionnement

-55℃~+150℃

Série

MOSFET

Application

high efficient DC to DC converters

Type de Fournisseur

Fabricant d'origine, ODM

Médias Disponibles

Fiche technique, Photo

品名

AKF5N65P 650V 5A N-Channel Power MOSFET

Collecteur de courant (Ic) (Max)

5.0A(TC=25℃), 2.7A(TC=100℃)

Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)

650V

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

30V

Courant-coupure de collecteur (Max)

Puissance Max

50W

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C

Type de Support

Trou traversant

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

650V

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

5.0A

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

4.0V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14.3nC

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Courant nominal (ampères)

Tension Nominale

650V

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

2.0V

Vgs (Max)

4.0V

Configuration

Unique

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

10V

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

560pF

Tension-panne (V (BR) GSS)

650V

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

10-100uA

Vidange de courant (Id)-Max

5.0A

Tension-coupure (VGS off) @ Id

30V

Résistance-RDS (On)

2.5 Ohm(Max.)

Tension-Sortie

650V

Tension-décalage (Vt)

±30V

Courant-vallée (Iv)

2.7A

Courant-Crête

Applications

fast switching

Transistor Type

MOSFET transistor, N-Channel, Enhancement Mode

VDSS

650V

VGSS

±30V

Drain Current(TC=25℃)

Drain Current(TC=100℃)

2.7A

Single Pulse Avalanche Energy

120mJ

Maximum Power Dissipation(TC=25℃)

50W

Gate-body leakage Current, Forward

100nA

Gate Threshold Voltage

2 V~ 4V

Application 1

UPS Applications

Application 2

DC-DC Converters and AC-DC Power Supply

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Délai

Quantité (pièce)	1 - 50000	50001 - 100000000	> 100000000
Durée estimée (jours)	20	30	À négocier

Personnalisation

Logo personnalisé

Commande min.: 100000

Emballage personnalisé

Commande min.: 100000

Personnalisation graphique

Commande min.: 100000

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