Plaquette de carbure de silicium 4 "épitaxie de substrat SiC 4H-N factice/recherche/qualité de production

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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrs

Attributs clés

Autres attributs

Point d'origine

Shanghai

Marque nom

XKH

Numéro de Type

customized

Type

SiC Gaufrette

Material

SiC substrate 4H-N Type

Grade

Dummy / Research /Production Grade

Thicnkss

350um Or 500um

Suraface

CMP/MP

Application

Device Maker Polishing Test

Diameter

100±0.3mm

Delivery Time

2-4weeks

Emballage et livraison

Unités de vente :

Article unique

Taille du paquet individuel :

10X10X0.35 cm

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