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Substrat monocristallin GaN autoportant non dopé à plan C de 2 à 4 pouces pour dispositif d'alimentation
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Attributs clés
Autres attributs
Point d'origine
China
Marque nom
GaNova
Numéro de Type
JDCD01-001-019
Type
GaN Gaufrette
Product name
2inch n-type free-standing GaN single crystal substrate
Dimensions
Dimensions 50.8 ± 1 mm
Thickness
350 ± 25 μm
Orientation flat
(1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 mm
Secondary orientation flat
(11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm
TTV
≤ 15 μm
BOW
≤ 20 μm
Ga face surface roughness
< 0.2 nm (polished) or < 0.3 nm
Package
Packaged in a cleanroom in single wafer container
Size
Customizable
Emballage et livraison
Détails d'emballage
Carton
Unités de vente :
Article unique
Taille du paquet individuel :
30X20X20 cm
Poids brut par article :
0.010 kg
Délai
Description des produits par le fournisseur
Quantité minimale de commande 1 pièce
2 050,00 $US - 2 800,00 $USAvantages de l’adhésion
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