| Processus de fabrication | 0.09 micron SOI |
| Largeur de données | bit 64 |
| Nombre de noyaux | 2 |
| Unité de virgule flottante | Intégré |
| Taille de cachette de niveau 1 | cachette associative bidirectionnelle d'instruction de 2 x 64 KBs cachette associative bidirectionnelle de 2 x 64 données de KB |
| Taille de cachette de niveau 2 | 2 x 1 cachettes associatives de manière de l'exclusivité 16 de mb |
| Mémoire physique | 1 TB |
| Mémoire virtuelle (TB) | 256 |
| Multitraitement | Jusqu'à 2 processeurs |
| Dispositifs |
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| Dispositifs de puissance faible |
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| périphériques de Sur-morceau |
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| Paramètres électriques/thermiques | |
| V noyau (v) | 1.3/1.35 |
| Température de fonctionnement minimum/maximum (°C) | 0 - 55 - 72 |
| Puissance thermique de conception (w) | 95 |
Taiwan