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drachme

  • Nom de marque: samsung, hynix
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Dispositifs et caractéristiques de drachme

OFFRE de MODULES de SDRAM (Longdimm) :
3ème de 1.hynix 128mb pc133 4c (16mx16)
3ème de 2.hynix 256mb pc133 8c (16mx16)
3ème de 3.hynix 512mb pc133 16c (32mx8)
3ème de 4.samsung 256mb pc133 16c (16mx8)
3ème de 5.samsung 512mb pc133 16c (32mx8)
PUCES DE MÉMOIRE :
6.hynix 16mx16 pc133 (FTP-H-A)
7.hynix 32mx8 pc133 (FTP-H-A)
Écart-type 32Mx16-75 133MHz sans plomb    K4S511632D-UC75
Le Pb de l'écart-type 16Mx16-75 133MHz libèrent    EDS2516APTA-75-E
Le Pb de l'écart-type 16Mx16-H 133MHz CL3 libèrent    HY57V561620FTP-H-A
Le Pb de l'écart-type 8Mx16-75 133MHz CL3 libèrent    K4S281632K-UC75T
GDDR3 32Mx32 900Mhz 1.8v    HYB18H1G321AF-11
GDDR3 8Mx32 700Mhz     K4J55323QI-BC12
DDR2 16Mx16 PC533    HYB18TC256160BF-3.7
Le Pb de DDR2 64Mx16 PC667 libèrent    K4T1G164QQ-HCE6
DDR3 128Mx8 PC1333    H5TQ1G83AFP-H9C
DDR2 32Mx16 PC667 sans plomb, halogène libèrent    K4T51163QG-HCE6
Le Pb de l'écart-type 2Mx32-6 166MHz libèrent     MT48LC2M32B2P-6 : G
Le Pb de l'écart-type 16Mx16 PC166 libèrent    MT48LC16M16A2P-6A : D
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Module de mémoire de DDR2 SO-DIMM
DDR2 PC533 512MB SO-DIMM
Module de la mémoire DDR3
Drachme, module, RAM, Samsung, Hynix
Module
Capacité de mémoire de Samsung DDR3 PC1066 So-Dimm : 2G Type de transmission : DDR3
module de mémoire
Nous pouvons assurer l'orig de module de mémoire. et OEM avec la qualité.
DRACHME IC
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module de mémoire
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Repérage de CCE de module de la mémoire DDR2
Nous avons la bonne offre de module de repérage de CCE, la marque principale et l'OEM, emballage en bloc avec le prix concurrentiel
Mémoire de module
Les composants de Nextron limités, est devenus une compagnie internationale world-class spécialisée dans les produits de mémoire et le composant d'ordinateur

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