Dispositifs et caractéristiques de Thyristor

Dispositifs :		 
    . Toute la structure diffuse
    . Configuration de amplification de porte d'Interdigitated                  
    . Blocage de jusqu'à 1200 volts capabilty
    . Temps d'arrêt maximum garanti        	
    . Possibilités élevées de dV/dt
    . Dispositif assemblé par pression

Blocage - outre du type
de dispositif d'état  VRRM (1) VDRM (1) VRSM (1)
R216CH05	   500	  500	  600
R216CH06	   600	  600	  720
R216CH08	   800	  800	  960
R216CH10	  1000	1000	1150
R216CH12	  1200	1200	1300
			

VRRM = tension inverse maximale réitérée
VDRM = crête réitérée outre de tension d'état
VRSM = tension inverse maximale non réitérée (2)

Fuite renversée maximale réitérée et outre de la fuite d'état
IRRM/IDRM = 20 mA - taux critique de 40
mA (3) de l'élévation de tension (4)
dV/dt = 400 V/sec