diode laser de haute puissance de 808 nanomètre (AL0808T1000) | |
Dispositifs : De puissance de sortie : 1.0w (ONDE ENTRETENUE) Variété de largeur de raie Structure efficace de puits de quantum | |
Application : Pompage par laser à semi-conducteur Utilisation médicale Balises et illumination Communication en espace libre Sources lumineuses infrarouges | |
Paramètre | #118alue |
AL808T1000 | |
Onde entretenue de puissance de sortie (mW) | 1000 |
Longueur d'onde maximale (nanomètre) | 808±10 |
Largeur spectrale (nanomètre) | ≤5 |
Courant de seuil (a) | ≤300 |
Courant d'opération (a) | ≤1400 |
Tension d'opération (v) | ≤2.2 |
Efficacité de pente (W/A) | ≥1.0 |
Θ×θ de divergence de faisceau (degré.) | 12/40 |
Coefficient de température de longueur d'onde (nanomètre) | 0.3 |
Émettant le secteur (μm) | 100×1 |
Résistance périodique (Ω) | ≤0..5 |
Vie (h) | 10000 |
Paquet | TO-5, TO-3, C-Montent |
China
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