dispositifs de transistors :
1. Possibilités à haute tension ;
2. Commutation à grande vitesse ;
3. Sot large ;
4. ROHS conforme
la description de détail du transistor
POLARITÉ : NPN
PINARRAY : BCE
IC (A) : 5
BVcbo (V) : 700
BVceo (V) : 400
Vces (V) : 0.8
HFE : 10---40
pi (mégahertz) : 5 (MINUTE)
China