| récepteur optique: émetteur optique |
Caractéristiques de fonctionnement
n Avec le convertisseur photoélectrique de PIN et la réponse élevée.
n Conception de circuit d'optimisation, production de processus de SMT, circuit d'optimisation, transmission photoélectrique de signal de maîtrise.
n Avec le rf spécialisé atténuez l'IC, bons linéaire du rf et de l'égalité et de grande précision.
n La GaAs amplifient, double déformation de rendement de puissance, à gain élevé et basse.
n Le statut fonctionnant de commande de microprocesseur, LED montre tous les paramètres, opération de convenance et de forte stabilité.
n Exécution de l'optimisation CAG, quand la gamme de puissance d'entrée est 92dBm, le levier de rendement, subsistance de CTB et de CHF constamment.
n Interface de communications de données de secours, il est commode de se relier au répondeur de gestion du réseau, se reliant au système de gestion du réseau.
Paramètre technique
Article | Unité | Paramètre technique | |||
Paramètre optique | |||||
Recevez la puissance optique | dBm | -9 ~ +2 | |||
Perte de retour | DB | >45 | |||
Longueur d'onde optique | nanomètre | ~ 1100 1600 | |||
Type de connecteur |
| FC/APCSC/APC | |||
Type de fibre |
| Mode unitaire | |||
Exécution de circuit | |||||
C/N | DB | entrée du ≥ 51-2dBm | |||
C/CTB | DB | ≥ 65 | dBμV du niveau de rendement 108 6dB équilibré | ||
C/CSO | DB | ≥ 60 | |||
Exécution de rf | |||||
Chaîne de fréquence | Mégahertz | 45 ~862 | |||
Planéité dans la bande | DB | ±0.75 | |||
Niveau de rendement évalué | dBμV | ≥ 108 | |||
Niveau de rendement maximum | dBμV | ≥112 | |||
Perte de retour de rendement | DB | ≥14 | |||
Impédance de rendement | Ω | 75 | |||
Chaîne de la commande électronique EQ | DB | 010 | |||
Chaîne de la commande électronique ATT | dBμV | 020 | |||
Retournez transmettent le paramètre d'optimisation du traitement | |||||
Paramètre optique | |||||
Optique transmettez la longueur d'onde | nanomètre | 1310±10 | |||
Produisez la puissance optique | dBm | 1 ~ 5 | |||
Type de connecteur |
| FC/APCSC/APC | |||
Paramètre de rf | |||||
Chaîne de fréquence | Mégahertz | 5 ~ 65 ou selon la condition de l'utilisateur | |||
Planéité dans la bande | DB | ±1 | |||
Niveau saisie | dBμV | 85 ~ 90 | |||
Impédance de rendement | Ω | 75 | |||
Paramètre général | |||||
Tension d'alimentation | V | AAC150~265VBAC35~90V | |||
Température de fonctionnement | -40~60 | ||||
La température de stockage | -40~65 | ||||
Hygrométrie | % | 95% maximum aucune condensation | |||
Consommation | VA | ≤ 30 | |||
Dimension | millimètre | 240L 240W 150H | |||
Note : Le paramètre du rf vers l'avant est examiné dans l'état d'utiliser module d'alimentation de DB de GaAs 25 le double à la dernière étape, si vous utilisez l'autre module, le paramètre sera légèrement différent.
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