Catégorie structurale | Commutateur photoélectrique | |||
Code extérieur d'aspect | G30 | |||
Type diffus | Distance de détection | 20100cm | ||
10 30 Volts continu | NPN | NON | G30-3A70NA | |
OR | G30-3A70NB | |||
NO+NC | G30-3A70NC | |||
PNP | NON | G30-3A70PA | ||
OR | G30-3A70PB | |||
NO+NC | G30-3A70PC | |||
90 250 VCA | Thyristor Silicium contrôlable | NON | G30-2A70LA | |
OR | G30-2A70LB | |||
Rendement de relais | G30-2A70JC | |||
Retroreflictive | Distance de détection | 35m | ||
10 30 Volts continu | NPN | NON | G30-3B3NA | |
OR | G30-3B3NB | |||
NO+NC | G30-3B3NC | |||
PNP | NON | G30-3B3PA | ||
OR | G30-3B3PB | |||
NO+NC | G30-3B3PC | |||
90 250 VCA | Thyristor Silicium contrôlable | NON | G30-2B3LA | |
OR | G30-2B3LB | |||
Rendement de relais | G30-2B3JC | |||
Faisceau de cuvette | Distance de détection | 10m | ||
10 30 Volts continu | NPN | NON | G30-3C101NA | |
OR | G30-3C101NB | |||
NO+NC | G30-3C101NC | |||
PNP | NON | G30-3C101PA | ||
OR | G30-3C101PB | |||
NO+NC | G30-3C101PC | |||
90 250 VCA | Thyristor Silicium contrôlable | NON | G30-2C101LA | |
OR | G30-2C101LB | |||
Rendement de relais | G30-2C101JC | |||
Rendement de DC/AC/Control | C.C : 200mA ; C.A. : 300mA ; Relay2A | |||
Courant de consommation de DC/AC | DC<15 mA ; AC<10 mA | |||
Temps de réponse de DC/AC | DC<2ms ; AC<20ms | |||
Ange directionnel | 3°10° | |||
Objet détecté | corps transparent ou opaque | |||
La température de milieu de travail | -25 +55 | |||
Intensité de milieu de travail d'illumination | Lumière du soleil sous 10000LX lampe à incandescence sous 3000LX | |||
Matériel de Shell | Plastique | |||
Catégorie de protection | IP66 | |||
China