Spécifications (module de mémoire de DDR2 800MHz) :
1) DDR2 800MHz à 533MHz
2) type module à double rangée de connexions de mémoire (DIMM) de douille de 240 bornes
3) alimentation de l'énergie 1.8V sans plomb
4) débit : 800Mhz/667Mbps/533Mbps
5) (SSTL-18 compatible) entrée-sortie 1.8V
6) architecture de Double-donnée-taux : deux transferts de données par rhythme
7) le stroboscope bi-directionnel et différentiel de données (DQS et /DQS) est transmis/reçu avec des données,
pour être employé en capturant des données au récepteur
8) DQS est bord aligné avec des données pour la lecture : centre aligné avec des données pour l'écriture
9) entrées d'horloge différentielle (les CK et le /CK)
10) le DLL aligne des transitions de DQ et de DQS avec des transitions des CK
11) Commandes sélectionnées sur chaque bord positif des CK : données et masque de données référencé aux deux bords de DQS
12) Quatre banques internes pour le fonctionnement concurrent (composant)
13) Les données masquent (DM) pour écrivent des données
14) Longueurs d'éclat : 4, 8
15) Latence de CAS (CL) : 3, 4, 5
16) L'opération automatique de pré-charge pour chacune a éclaté l'accès
17) L'automobile régénèrent et l'individu régénèrent des modes
18) périodiques 7.8us moyens régénèrent l'intervalle
19) CAS signalé par latence additive programmable pour une meilleure efficacité de bus de commande et de données
) ajustement et sur-mourir-arrêt d'impédance du l'Au loin-morceau-conducteur 20 pour une meilleure qualité de signal
21) DQS peut être handicapé pour l'opération assymétrique de stroboscope de données
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