808nm 200mW LD Fabricants & Fournisseurs sur on Alibaba.com


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808nm 200mW LD

  • Point d'origine: Guangdong China
  • Conditions de paiement: T/T,Western Union,MoneyGram,paypal
  • Quantité d'ordre minimum: 1 Piece/Pieces
  • Capacité d'approvisionnement: 10000 Piece/Pieces per Mois
  • Délai de livraison: 3-5 jours
  • Nom de marque: BOB LASER
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Dispositifs et caractéristiques de 808nm 200mW LD


Presentation
Features de SortLaser-diodes :
de puissance de sortie : 0.2w (onde entretenue)
Variety du structure
Application width
Efficient de puits de quantum de raie : usage
Beacons pumping
Medical de laser de
Solid-state et sources
léger communication
Infrared par Illumination
Free-space
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diode laser 1550nm
Caractéristiques électriques et optiques
diode laser 808nm
1) utilisation médicale à semi-conducteur de pompage par laser 2) 3) Communication en espace libre de balises et d'illumination 4)
980nm diode laser 300mw
1) De puissance de sortie optique plus que 2) l'efficacité de conversion 300mw (onde entretenue) élevée 3) Paquet TO-18 ou TO-5 standard
diode laser de 635nm 5mw-20mw
indicateur de diode laser de 635nm 5mw-20mw Indicateur Balayage Photographie médicale
diode laser 5W
Utilisation médicale à semi-conducteur de pompage par laser Communication en espace libre de balises et d'illumination
diode laser de point de gel de 1550 nanomètre
Applications : CSAD STM-1/STM-4 DE SONET OC-3/OC-12 CATV Détection fibreoptique
980nm diode laser 3W
Paquet standard ou TO-5 élevé de puissance de sortie optique d'efficacité de conversion de >1W (onde entretenue) TO-18
1310nm DFB 5mW LD
Température de fonctionnement : -20 à +70 Avec la photodiode de PIN de moniteur d'InGaAs (palladium) disponible dans des modules pigtailed ou de réceptacle
1310nm DFB 5mW LD
MQW 1310nm DFB LD Bas courant de seuil Puissance à haute production Palladium intégré de moniteur d'InGaAsP

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