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650nm 80mW pour empaqueter la diode laser

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Dispositifs et caractéristiques de 650nm 80mW pour empaqueter la diode laser

diodes lasers 650nm

Dispositifs :

         Longueur d'onde 650nm

         Intense luminosité

         Mode unitaire

         Paquet TO18 standard

Applications :

         Traitement médical de laser

         Indicateur de laser

Capacités absolues

Paramètre

 

Symbole

 

Valeur

 

Unité

Tension inverse

 

Vr

 

2.0

 

V

Température de fonctionnement

 

Dessus

 

+10~+35

 

°C

La température de stockage

 

Tstg

 

-20 ~ +80

 

°C

La température de soudure de fil (sec 10.)

 

Tis

 

260

 

°C

 
CaractéristiquesGCSLD-10-080m-5

Centre Wavelength@25

650±10nm

Largeur spectrale (FWHM)

≤3nm

De puissance de sortie

≥80mW

Région d'émetteur

5x1μm

Divergence de faisceau (FWHM)

20° x 10°//

Coefficient de température de longueur d'onde

0.2nm/°C

Efficacité de pente

0.95W/A

Courant de seuil (Typ.)

≤65mA

Courant d'opération (Typ.)

≤150mA

Tension d'opération

≤2.5V

Série de résistance

0.6Ω

Modèle de paquet

TO18

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